中村研究室は、Si系材料の超高密度エピタキシャルナノドット形成技術を軸に、創エネルギー/省エネルギー素子材料の開発を目指します。
  • 熱と電気の同時制御を可能とする ナノ構造技術の開発
  • 世界最小熱伝導率の 結晶シリコン材料の実現

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