Nakamura lab. develops new material creating or conserving energy by using ultrahigh density Si-based nanodots.

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[1] 日本学術振興会 特別研究員奨励費(DC1) H30年度~H32年度(代表:谷口 達彦)

「Geナノドット含有高出力因子ヘテロ超格子によるSi基板上高性能熱電材料の開発」

[2] 日本学術振興会 特別研究員奨励費(DC1) H29年度~H31年度(代表:坂根 駿也)

「β-FeSi2ナノドット含有Siナノ構造を用いた熱電物性の独立制御技術の開発」

[3] 日本学術振興会 特別研究員奨励費(DC2) H29年度~H30年度(代表:石部 貴史)

「0次、1次元ナノ構造を用いた電子・フォノン独立制御による高性能透明熱電材料の開発」

[4] 科学技術振興機構 CREST H27~H32年度(代表:水口 将輝、分担)

「ナノ超空間を利用した熱・スピン・電界交差相関による高効率エネルギー変換材料の創製」

[5] 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(A) H28~H31年度(代表:中村 芳明)

「新ヘテロナノ構造を用いたフォノン・キャリア波動制御に基く高性能Si熱電材料の創製」

[6] 日本学術振興会 科学研究費補助金 挑戦的萌芽研究 H27~H29年度(代表:中村 芳明)

「理想的ヘテロナノ界面を用いた界面伝導の物理に基づくフォノン・電子伝導の独立操作」

 

 

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