Nakamura lab. develops new material creating or conserving energy by using ultrahigh density Si-based nanodots.

Books

2020

[1] 中村芳明,

「窓ガラス温度差発電に向けた薄膜透明熱電材料開発」

『次世代自動車の熱マネジメント』, 技術情報協会, 第九章第七節(pp.499-512), 202012

 


2019

[1] 中村芳明,

「フォノン・電子輸送制御を可能にするSiナノ構造開発」

『サーマルデバイス 新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用』, 舟橋良次/小原春彦 監修, NTS, Japan, 第3章第3節(pp. 96-102), 2019

 


2018

[1] 石部貴史,

「ナノワイヤ導入によるZnO系薄膜の出力因子増大」

日本熱電学会誌 14, 3, pp.27-28 (April 2018)

 


2017

[5] 中村芳明,

「研究室紹介」

日本熱電学会誌 14, 2, pp.18-19 (December 2017)

[4] (総説) 中村芳明、

極薄Si酸化膜技術を用いたナノ構造界面設計による熱電物性制御、

CERAMICS JAPAN, bulletin of the ceramics society of Japan,

(公社)日本セラミックス協会、東京、pp.71-77、2017年.  (セラミックス 52, 71-77 (2017).)

[3] 中村芳明,

Si系材料における界面制御と熱電変換」

日本熱電学会誌 14, 1, pp.22-26 (August 2017)

[2] 中村芳明,

「ナノ構造技術を用いた熱および電気の同時制御」

『フォノンエンジニアリング―マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術―』,吉田隆 編,NTS,日本,第1章第3節 (pp.41-52)2017年.

[1] 中村芳明,

「研究室紹介」

談話室 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 News Letter 158, 2-3 (April 2017)


 

2015

[10] (総説) 中村芳明

「ナノドットを用いたシリコン熱電変換材料の開発と応用」、

エネルギーデバイスエネルギーデバイス最前線, 2015年10月号, p.48-50.


 

2014

[] 中村芳明,

「シリサイド系半導体ナノ構造」,

『シリサイド系半導体の科学と技術資源・環境時代の新しい半導体と関連物質』,前田佳均編著,裳華房,日本,3.7(pp.121-143), 2014年.


2012

[] Yoshiaki Nakamura and Masakazu Ichikawa,

“Formation of ultrahigh density quantum dots epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 film technique”,

in State-of-the-art of Quantum dot system fabrications, edited by ameenah Al-ahmadi, Intech, Croatia, Chapter 6 (pp.81-100), (2012).


2008

[9] (総説) 中村芳明、市川昌和,

「Si基板上エピタキシャルナノドットの高密度形成技術」,

応用物理学会薄膜・表面物理分科News Letter 134, 23-29 (Dec. 2008).


 

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