Nakamura lab. develops new material creating or conserving energy by using ultrahigh density Si-based nanodots.

Books

2021

[2] 中村芳明

「革新的材料開発を目指したナノ構造の創製」

季刊学際技術誌『生産と技術』, 一般社団法人生産技術振興協会, 2021 Autumn VOL.73 No.4 秋号, 2021年9月

 

[1] 中村芳明,坂根駿也

「身近な廃熱の発電利用に向けたシリコンゲルマニウム合金を用いた熱電材料の開発」

『クリーンエネルギー』, 日本工業出版, vol. 30, No. 7, pp.54-61, 2021年7月

 


2020

[1] 中村芳明,

「窓ガラス温度差発電に向けた薄膜透明熱電材料開発」

『次世代自動車の熱マネジメント』, 技術情報協会, 第九章第七節(pp.499-512), 202012

 


2019

[1] 中村芳明,

「フォノン・電子輸送制御を可能にするSiナノ構造開発」

『サーマルデバイス 新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用』, 舟橋良次/小原春彦 監修, NTS, Japan, 第3章第3節(pp. 96-102), 2019

 


2018

[1] 石部貴史,

「ナノワイヤ導入によるZnO系薄膜の出力因子増大」

日本熱電学会誌 14, 3, pp.27-28 (April 2018)

 


2017

[5] 中村芳明,

「研究室紹介」

日本熱電学会誌 14, 2, pp.18-19 (December 2017)

[4] (総説) 中村芳明、

極薄Si酸化膜技術を用いたナノ構造界面設計による熱電物性制御、

CERAMICS JAPAN, bulletin of the ceramics society of Japan,

(公社)日本セラミックス協会、東京、pp.71-77、2017年.  (セラミックス 52, 71-77 (2017).)

[3] 中村芳明,

Si系材料における界面制御と熱電変換」

日本熱電学会誌 14, 1, pp.22-26 (August 2017)

[2] 中村芳明,

「ナノ構造技術を用いた熱および電気の同時制御」

『フォノンエンジニアリング―マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術―』,吉田隆 編,NTS,日本,第1章第3節 (pp.41-52)2017年.

[1] 中村芳明,

「研究室紹介」

談話室 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 News Letter 158, 2-3 (April 2017)


 

2015

[10] (総説) 中村芳明

「ナノドットを用いたシリコン熱電変換材料の開発と応用」、

エネルギーデバイスエネルギーデバイス最前線, 2015年10月号, p.48-50.


 

2014

[] 中村芳明,

「シリサイド系半導体ナノ構造」,

『シリサイド系半導体の科学と技術資源・環境時代の新しい半導体と関連物質』,前田佳均編著,裳華房,日本,3.7(pp.121-143), 2014年.


2012

[] Yoshiaki Nakamura and Masakazu Ichikawa,

“Formation of ultrahigh density quantum dots epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 film technique”,

in State-of-the-art of Quantum dot system fabrications, edited by ameenah Al-ahmadi, Intech, Croatia, Chapter 6 (pp.81-100), (2012).


2008

[9] (総説) 中村芳明、市川昌和,

「Si基板上エピタキシャルナノドットの高密度形成技術」,

応用物理学会薄膜・表面物理分科News Letter 134, 23-29 (Dec. 2008).


 

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