Nakamura lab. develops new material creating or conserving energy by using ultrahigh density Si-based nanodots.

Invited talks

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2021

[1] Yoshiaki Nakamura, Takafumi Ishibe

“Phonon Transport Physics in Well-Controlled Various Nanomaterials”

‘2021 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit’, NM08.11.01, 20th Apr. 2021


2020

[6] 中村 芳明、

「半導体ナノ構造の熱電特性」

『応用物理学会東海支部55周年記念講演 ― 東海ニューフロンティアリサーチワー クショップ ―』、

動画配信、2020年12月1日-2021年1月31日

[5] 中村 芳明、藤田 武志、

「熱電性能向上を目指した特異構造による熱・フォノン輸送制御」

『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学 ~実験と理論の協奏的アプローチ:物性解明と制御~」』、8p-Z02-7、

オンライン、2020年9月8-11日

[4] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、鎌倉 良成、森 伸也、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、中村 芳明、

「界面制御した透明ZnO薄膜における熱電出力因子増大」

『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-5、

オンライン、2020年9月8-11日

[3]中村 芳明、藤田 武志

「特異構造を用いたフォノン輸送制御と熱電応用」

『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学~実験と理論の接点を探る:物性解明と制御~」』、12p-A307-7

上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[2]石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、鎌倉 良成、森 伸也、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、中村 芳明

「ナノワイヤ界面制御による熱電出力因子増大方法論」

『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、12a-D221-5

上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[1]中村 芳明

「IoT 活用を目指した低温熱電発電用ナノ材料の創製」

『応用物理学会 薄膜・表面物理分科会主催 2019年度 薄膜・表面物理研究会』

高知工科大学(永国寺キャンパス、香美キャンパス)、2020年2月8-9日

2019


[5]中村芳明

「ユビキタス元素熱電材料実現に向けたナノ構造制御」

『2019年日本表面真空学会中部支部研究会「ナノ結晶成長・評価・応用の研究最前線」』

静岡大学浜松キャンパス、浜松、2019年11月23日

[4]Yoshiaki Nakamura

Keynote

“Nanostructure thermoelectrics”

‘IEEE IMFEDK 2019, 17th Meeting’

Avanti Kyoto Hall, Kyoto, 14th, Nov. 2019

[3]中村芳明

「熱電性能向上に向けたナノ構造の設計とその作製」

『第40回排熱発電コンソーシアム』

アットビジネスセンターPREMIUM新大阪、2019年6月10日

[2]Yoshiaki Nakamura

(Plenary session)

“Semiconductor nanostructure design for thermoelectric property control”

‘Nanomeeting 2019′, Minsk , Belarus (21 May 2019)

[1]Yoshiaki Nakamura

“Design of Semiconductor Nanoarchitecture for Thermoelectric Property Control”

20aC02I, ’11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2019/IC-PLANTS2019)’, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan (March 17-21, 2019)


2018
[6] 中村芳明

「薄膜熱電素子開発に向けたナノ構造材料の設計と作製」

『応用物理学会応用電子物性分科会主催 応用電子物性分科会 研究例会 熱電素子のIoT応用/新規材料開発の最前線』

首都大学東京 秋葉原サテライトキャンパス、2018年11月21日

[5] 寺田 吏、石部 貴史、渡辺 健太郎、中村 芳明

「熱伝導率制御に向けた非整合チムニーラダー構造FeGeg /Siのエピタキシャル成長」

『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、18p-431B-2

名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[4] 中村芳明

「原子レベル制御したナノ構造界面と界面輸送」

『フォノンエンジニアリング研究会』、KKRホテル熱海 2018年7月13-14日

[3] 中村芳明

「ナノ構造技術を用いた物性制御と応用」(セミナー)

奈良先端科学技術大学院大学 2018年3月26日

[2] 中村芳明

「熱電デバイス応用に向けたⅣ族半導体ナノ構造における電子・フォノン輸送制御」

『2018年春季<第65回>応用物理学会 結晶工学シンポジウム「ゲルマニウムの工学-電子・光・熱・スピン Ⅳ族半導体の新展開-」』18p-C304-10、早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日

[1] 中村芳明

「制御したナノ構造界面導入による電子・フォノン輸送制御」

『ホイスラー化合物熱電素子材料による廃熱発電研究会』、名古屋工業大学、2018年2月8日


2017

[8] Kentaro Watanabe and Yoshiaki Nakamura

“A versatile thermal conductivity measurement of free-standing nanowire array structures using embedding organic material films”

Abstract ID: 6, Meeting Room No. 202, Dec. 22, ‘2017 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2017)’, Taipei, Taiwan, (December 21-24, 2017).

[7] 渡辺健太郎

「Nanoprobe-CL法による半導体単結晶自立ナノワイヤの顕微物性評価」

第8回真空・表面科学若手研究会、つくばイノベーションプラザ、2017年10月27日
[6] Yoshiaki Nakamura and Kentaro Watanabe,

“Nanostructure Design for Control of Phonon and Electron Transports”

827, ‘232nd Electrochemical Society (ECS) metting’, National Harbor, MD (greater Washington, DC area), USA, (October 1-5, 2017).

[5] Kentaro Watanabe,

“Nanospectroscopic investigation of individual free-standing semiconductor nanowires using nanoprobe-cathodoluminscence techniques”

M-5-01, ‘2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)’, Sendai, Japan, (September 19 – 22, 2017).

[4] 中村芳明

「フォノン・電子輸送制御を可能にするSiナノ構造設計」

『第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017) シンポジウム講演「固体材料における熱伝導制御の学術フロンティア」』、大阪大学豊中キャンパス、2017年9月13日

[3] 中村芳明

「フォノン・キャリア輸送制御を可能とするナノ構造の設計と作製」

『2017年真空・表面科学合同講演会 合同シンポジウム「ナノ構造/低次元・ナノ物質」』、3Da11、横浜市立大学金沢八景キャンパス、2017年8月19日

[2] Yoshiaki Nakamura,

“Design of nanoarchitecture for independent control of carrier and phonon transports”

1B-2, ‘2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2017)’, Hotel Hyundai (Gyeongju), Gyeongju-si, Korea, (July 3-5, 2017).

[1] Yoshiaki Nakamura,

“Epitaxial nanostructure design for control of phonon and electron transport”

VIII-3, ‘The 9th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena’, KKR Hotel Tokyo, Japan, (July 2-5, 2017).


2016

[4] Yoshiaki Nakamura,

“Nanoarchitecture design for independent control of carrier and phonon transports”,

Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (Parcsurf 2016), Kohala Coast, Hawaii, USA, (December 11-15 2016).

[3] 中村芳明

「ナノ構造を用いた熱電特性制御とSi系熱電材料開発」

日本金属学会 時限研究会 第四回エレクトロニクス薄膜材料研究会 「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(4)」、大阪大学、大阪、2016年9月22日

[2] 坂根駿也、谷口達彦、渡辺健太郎、中村芳明

「Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性」

『第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会』、新潟駅前カルチャーセンター、新潟、2016年9月16日

[1] 渡辺健太郎、

「Nanoprobe-CL法による半導体ナノ結晶の顕微物性評価」、

『2016年春季<第63回>応用物理学会 分科企画シンポジウム「発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来」』、19p-S011-11、東京工業大学、2016年3月


2015

[3] 中村芳明、

「ナノドットを用いた熱伝導率の低減とSi系熱電材料開発」

コロイド先端技術講座II:4th E-Colloid先端エレクトロニクスのためのコロイド・界面化学次世代サーマルマネジメント技術が地球を救うーコロイド・界面化学・ソフトマターの欠かせない役割ー、日本化学会館7Fホール、平成27年12月4日

[2] Yoshiaki Nakamura,

Thermal conductivity reduction in the Si nanoarchitecture including epitaxial nanodots,

IUMRS-ICAM2015, ICC Jeju, Korea (Oct. 29th, 2015)

[1] 中村芳明、

「極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発」、

電子情報通信学会研究会(SDM、ED)「機能ナノデバイスおよび関連技術」、北海道大学(百年記念会館)、北海道、2015年2月


2014

[3] Yoshiaki Nakamura and Akira Sakai,

Epitaxial Growth of Nanodots on Si Substrates with Controlled Interfaces and Their Application to Electronics and Thermoelectronics

Electrochemical Society 226th meeting, Cancun, Mexico, (Oct , 2014).

[2] 中村芳明、

「エピタキシャルSiナノドットを用いた熱伝導率の低減と熱電材料への応用」、

第51回日本伝熱シンポジウム、アクトシティ浜松・コングレスセンター、静岡、2014年5月

[1] Yoshiaki Nakamura and Akira Sakai,

Anomalous reduction of thermal conductivity of stacked epitaxial Si nanodots structures,

1st Kansai NanoScience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, (Feb. 4th 2014).


2013

[4] 中村芳明、

「ナノドットを用いたSi系熱電材料の開発」,

CREST・さきがけ「元素戦略」領域合同第1回公開シンポジウム、東京国際フォーラム、東京、2013年11月

[3] 中村芳明、

「ナノドットを用いたSi熱電変換材料の開発」、

第22回シリサイド系半導体研究会 京都大学・宇治キャンパス、2013年9月21日

[2] Yoshiaki Nakamura,

Si-based epitaxial nanodots for thermoelectric material, Effective Utilization of Elements and its Chemical Applications,

China-Japan Young Chemist Forum, Ritsumeikan University, Shiga Japan, (March 24th 2013).

[1] 中村芳明、酒井朗、

「ナノドットを用いたSi熱電材料の開発」、

応用物理学会関西支部セミナー「先端半導体デバイスのシミュレーション」、大阪、 大阪大学吹田市、2013年3月


2012

[4] Yoshiaki Nakamura and Masakazu Ichikawa,

Epitaxial Growth of Iron-Silicide Nanodots on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique and Their Physical Properties,

Electrochemical Society 222th meeting in Honolulu, Hawaii USA, PRIME (Pacific Rim Meeting on electrochmeical and solid-state science), (Oct 9, 2012).

[3] 中村芳明、

「ナノドットを用いて歪制御したSi基板上への高品質エピタキシャル薄膜成長法」、

第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」、 マホロバマインズ三浦、神奈川、2012年9月

[2] 中村芳明、

「Si基板上へのナノ構造エピタキシャル成長技術とその応用」、

シリサイド系半導体と関連物質研究会 夏の学校2012、神奈川、マホロバマインズ三浦 2012年7月

[1] Yoshiaki Nakamura and Masakazu Ichikawa,

Nanocontact epitaxy of thin films on Si substrates using nanodot seeds fabricated by ultrathin SiO2 film technique,

Electrochemical Society 221th meeting in Seattle USA (2012 spring meeting), (May 7th 2012).


2011

[3] Yoshiaki Nakamura and Masakazu Ichikawa,

Self-organization and self-repair of two-dimensional periodic nanoarray of epitaxial Ge nanodots using ultrathin SiO2 film technique,

BIT’s 1st Annual World Congress of Nano-S&T, Dalian, China, (Oct 23-26 2011).

[2] Yoshiaki Nakamura,

High density iron silicide nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique,

IUMRS-ICA 2011, Taipei World Trade Center Nangang Exhibition hall, Taipei, (Sep. 2011).

[1] Yoshiaki Nakamura and Masakazu Ichikawa,

Nanocontact epitaxy of high quality thin III-V films on Si substrates using nanodot seeds,

The 6th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2011), Chunhuiyuan Hotel, Beijing, (China, June, 2011).


2010

[1] Yoshiaki Nakamura, A. Murayama, R. Watanabe, T. Iyoda, and M. Ichikawa,

Self-organization and Self-repair of a two-dimensional nanoarray of epitaxial Ge quantum dots using ultrathin SiO2 film technique,

The 5th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME 2010), Changzhou China, (Sep. 2010).


2009

[4] 中村芳明、

「極薄Si酸化膜テクノロジーにより形成した超高密度量子ドット」、

東京工業大学資源化学研究所セミナー、東京工業大学・すずかけ台キャンパス、神奈川、2009年11月

[3] Yoshiaki Nakamura,

Self-assembly technique of ultrahigh density quantum dots of group IV semiconductor epitaxially grown on Si substrates using ultrathin SiO2 film,

The 4th International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIMME2009), Chengdu, China, (Oct. 2009).

[2] 中村芳明、市川昌和、

「Si基板上に形成した鉄シリサイドナノドットの構造と物性評価」、

第13回シリサイド系半導体研究会、研究会テーマ:シリサイドとナノ構造、筑波大学・東京キャンパス、東京、2009年4月

[1] 中村芳明、

「IV族系半導体ナノドットの超高密度形成とその物性」、

グローバルCOE「未来を拓く物理化学結集教育研究拠点」第一回自主研究会、セミナーハウス常総、茨城県つくばみらい市、2009年1月


2008

[1] 中村芳明、市川昌和、

「Si 基板上β-FeSi2、Fe3Si ナノドットの自己形成とその光学及び磁気特性」、

2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 シンポジウム(主題:結晶工学分科会・シリサイド系半導体と関連物質研究会共同企画「シリサイド系材料が開く新しい応用技術-結晶工学から斬るシリサイド系材料の可能性-」)、中部大学、愛知、2008年9月


2007

[2] 中村芳明、市川昌和、

「IV族半導体ナノ構造形成技術の鉄シリサイドへの応用」、

第10回シリサイド系半導体夏の学校(主催:応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会)、つま恋、静岡、2007年7月

[1] 中村芳明、市川昌和、

「鉄シリサイドナノ構造の形成技術開発」、

第10回シリサイド系半導体研究会、東京工業大学・すずかけ台キャンパス、神奈川、2007年3月


2006

[2] 中村芳明、市川昌和、

「極薄Si酸化膜を利用したIV族系半導体ナノ構造の形成と物性評価」、

21世紀COEセミナー、 大阪大学・豊中キャンパス(大阪府豊中市)、大阪、2006年12月

[1] 中村芳明、渡辺健太郎、初貝安弘、市川昌和、

「Ge量子ドットにおける単電子輸送による量子的トンネル電流変化」、

2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会 講演奨励賞記念講演 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、滋賀、2006年8月


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