Nakamura lab. develops new material creating or conserving energy by using ultrahigh density Si-based nanodots.

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国内学会発表


2021

[4] 石部貴史、上松悠人、竹中良介、鈴木雄大、佐藤和則、藤田武志、小林英一、中村芳明、「高熱電出力因子に向けたe-CoSi 薄膜/Si における電子輸送機構 」、『2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-Z17-7、オンライン、2021年3月16-19日

[3] 谷口 達彦、石部 貴史、我妻 勇哉、澤野 憲太郎、山下 雄一郎、中村 芳明、「歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電性能」、『2021年第68回応用物理学会春季学術講演会』、17a-Z17-6、オンライン、2021年3月16-19日

[2] 寺田 吏、谷口 達彦、石部 貴史、鴻池 健人、真田 篤志、成瀬 延康、目良 裕、中村 芳明、「極小エピタキシャルGeナノドット含有薄膜における熱伝導機構」、『2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会』、16a-Z32-4、オンライン、2021年3月16-19日

[1] 日野雄太、藤井進、吉矢真人、石部貴史、中村芳明、「カルコゲナイドにおける界面モデリングとフォノン状態解析」、『2021年 材料物性工学談話会』、オンライン、2021年2月3日

2020

[20] 石部貴史、「界面制御したSiGe/Si超格子薄膜における電子・フォノン輸送」、『第4回フォノンエンジニアリング研究会』、Sat-2、オンライン、2020年12月11-12日

[19] 日野雄太、関本渉、藤井進、吉矢真人、石部貴史、中村芳明、「カルコゲナイド異相界面におけるフォノン伝導機構」、『第30回日本MRS年次大会』、オンライン、2020年12月9-11日

[18] 水田 光星、細田 凌矢、石部 貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「サーマルマネージメント出力因子増大機構解明に向けたCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の熱電特性評価」、『第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020)』、S4A3、オンライン、2020年9月28-30日

[17] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、小林 英一、中村 芳明、「フェルミレベル制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化」、『第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020)』、S4A2、オンライン、2020年9月28-30日

[16] 小松原 祐樹、片山 虎之介、石部 貴史、中村 芳明、「界面エネルギー障壁制御による透明ZnO/MgZnO超格子薄膜の出力因子増大」、『第17回日本熱電学会学術講演会(TSJ2020)』、S4A1、オンライン、2020年9月28-30日

[15] 豊木 研太郎、林 正之、濱口 峻祐、白土 優、中谷 亮一、石部 貴史、中村 芳明「擬ギャップを持つ反強磁性X相Cr3Al薄膜の支配的キャリアの評価」、『2020年 第167回日本金属学会春季講演大会』、オンライン、2020年9月15-18日

[14] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、中村 芳明、「鉄シリサイドナノドット含有Fe3O4薄膜メモリ における局所電界増強による抵抗変化比増大」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、11a-Z01-4、オンライン、2020年9月8-11日

[13] 谷口 達彦、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z09-13、オンライン、2020年9月8-11日

[12] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、Himanshu Sharma、水口 将輝、中村 芳明、「半導体/強磁性金属積層構造における異常ネルンスト係数の増大」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-8、オンライン、2020年9月8-11日

[11] 細田凌矢、水田光星、石部貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明、「熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の開発」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-7、オンライン、9月8-11日

[10] 上松 悠人、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルゲルマナン薄膜の作製とその熱伝導率測定」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-6、オンライン、2020年9月8-11日

[9] 工藤 康平、嶋貫 雄太、石部 貴史、 真砂 啓、 山田 晋也、中村 芳明、 浜屋 宏平、「熱電ホイスラー合金Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性」、『2020年 第166回日本金属学会春季講演大会』、東京工業大学 大岡山キャンパス、2020年3月17-19日

[8] 豊木 研太郎、林 正之、濱口 峻佑、白土 優、中谷 亮一、石部 貴史、中村 芳明、「反強磁性半金属X相Cr3Al薄膜の電気特性およびSeebeck係数の温度依存性」、『2020年 第166回日本金属学会春季講演大会』、東京工業大学 大岡山キャンパス、2020年3月17-19日

[7] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、「熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、14p-A405-5、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[6] 石部 貴史、雛川 貴弘、坂根 駿也、佐藤 和則、小林 英一、藤田 武志、中村 芳明、「Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、14a-A202-5、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[5]  坂根 駿也、石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-6、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[4]  谷口 達彦、石部 貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-5、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[3]  寺田 吏、上松  悠人、石部 貴史、小林 英一、山下 雄一郎、中村 芳明、「Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-4、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[2] 上松 悠人、谷口 達彦、細田 凌矢、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、中村 芳明、「AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-3、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日

[1] 塩田拓哉、石部 貴史、中村 芳明、「環境調和型フレキシブル熱電材料の開発」、『応用物理学会関西支部2019年度第3回講演会』、P-30、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 関西センター、2020年2月21日

2019

[26] 渡辺直樹、船井浩平、藤井進、吉矢真人、中村芳明、

「ナノスケールでのSi/SiO2界面による熱伝導率機構の解明」

『第29回日本MRS年次大会』、

横浜情報文化センター、2019年11月27-29日

[25] 日野雄太、渡辺直樹、藤井進、吉矢真人、石部貴史、中村芳明、

「第一原理格子動力学法による積層カルコゲナイドのフォノン状態」

『第29回日本MRS年次大会』、

横浜情報文化センター、2019年11月27-29日

[24] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、

「熱起電力顕微鏡の開発」

『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-06、

大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日

[23] 金子 達哉、石部 貴史、彌田 智一、中村 芳明、

「ナノシリンダブロックコポリマー薄膜における熱伝導率スイッチングの発現」

『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-05、

大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日

[22] 上松 悠人、谷口 達彦、細田 凌矢、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、中村 芳明、

「2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価」

『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-04、

大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日

[21] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、山下 雄一郎、中村 芳明、

「IoTセンサ電源応用に向けたSi基板上CaSi2熱電薄膜」

『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-03、

大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日

[20] 嶋貫雄太, 工藤康平, 山田晋也, 石部貴史, 中村芳明, 浜屋宏平

「熱電材料Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長」

『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、

北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日

[19] 石部 貴史、近田 尋一郎、谷内 卓、山下 雄大、佐藤 拓磨、末益 崇、中村 芳明、

「熱電発電応用に向けたSi基板上BaSi2薄膜」

『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、20a-E303-3、

北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日

[18] 坂根 駿也、石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、

「欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善」

『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、19p-E307-7、

北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日

[17] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、小林 英一、山下 雄一郎、中村 芳明、

「Ca濃度変調によるエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性操作」

『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、19p-E307-6、

北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日

[16] 石部 貴史、谷内 卓、山下 雄大、佐藤 拓磨、末益 崇、中村 芳明、

「Si基板上BaSi2薄膜の低熱伝導率とその熱輸送機構」

『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、18p-E214-3、

北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日

[15] 谷口 達彦、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、

「独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化」

『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、18p-E214-2、

北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日

[14] 渡辺直樹、船井浩平、藤井進、吉矢真人、中村芳明、

「ナノスケールでの異相界面における熱輸送メカニズム」

『第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019)』、

名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日

[13] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、

「熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用」

『第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019)』、S6B4、

名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日

[12] 上松 悠人、谷口 達彦、細田 凌矢、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、中村 芳明、

「二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価」

『第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019)』、S6B1、

名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日

[11] 金子 達哉、石部 貴史、彌田 智一、中村 芳明、

「異方的構造を有するブロックコポリマー薄膜の熱伝導率異方性評価」

『第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019)』、PS48、

名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日

[10] 細田 凌矢、谷口 達彦、石部 貴史、藤井 武則、中村 芳明、

「SiGe EDLTを用いた出力因子増大の検証」

『第16回日本熱電学会学術講演会(TSJ2019)』、PS31、

名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日

[9] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、鎌倉 良成、森 伸也、中村 芳明、
「サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大」
『応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会』、P-03、
関西学院大学 関学会館、2019年6月20日

[8] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、
「熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用」
『応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会』、p-02、
関西学院大学 関学会館、2019年6月20日

[7] 工藤康平, 山田晋也, 近田尋一朗, 嶋貫雄太, 石部貴史, 阿保智, 宮崎秀俊, 西野洋一, 中村芳明, 浜屋宏平
「Si置換したFe2VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率」
『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

[6] 雛川 貴弘、坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、中村 芳明
「Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価」
『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、11p-W834-13、
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

[5] 石部 貴史、近田 尋一郎、谷内 卓、山下 雄大、末益 崇、中村 芳明
「複雑結晶構造を有するSi基板上BaSi2薄膜の熱電性能評価」
『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、10a-W351-5、
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

[4] 谷口 達彦、石部 貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明
「高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化」
『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、10a-W351-4、
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

[3] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、中村 芳明
「多層シリセン積層構造を有するエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性」
『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、10a-W351-3、
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

[2] 宮戸 祐治、小松原 祐樹、石部 貴史、中村 芳明
「局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定」
『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、9p-W371-9
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

[1] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、池内 賢朗、鎌倉 良成、森 伸也、中村 芳明
「SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大」
『2019年第66回 応用物理学会春季学術講演会』、9p-W371-8、
東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日

2018

[16] 石部 貴史、留田 純希、成瀬 延康、中村 芳明
「変調ドープエピタキシャル界面導入によるZnO薄膜の出力因子増大」
『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-8、
名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[15] 坂根 駿也、柏野 真人、渡辺 健太郎、鎌倉 良成、森 伸也、藤田 武志、中村 芳明
「Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子」
『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-7、
名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[14] 雛川 貴弘、坂根 駿也、中村 芳明
「半金属e-CoSi薄膜のSi基板上への成長とその熱電性能」
『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-6
名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[13] 谷口 達彦、成瀬 延康、山下 雄一郎、中村 芳明、
「Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響」
『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、20p-234B-10
名古屋国際会議場、2018年9月18-21日

[12] 留田 純希、石部 貴史、中村 芳明
「SnO2薄膜における結晶成長方位制御による熱電出力因子増大」
『2018年 第15回日本熱電学会』、PS19
東北大学青葉山キャンパス、2018年9月13-15日

[11] 雛川 貴弘、坂根 駿也、中村 芳明、
「熱電応用に向けたSi基板上CoSi薄膜の形成技術開発」
『第18回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-17、
静岡県立森林公園森の家、2018年7月21-22日

[10] 坂根 駿也、中村 芳明、
「Coドープしたエピタキシャルb-FeSi2薄膜/Siの作製とその熱電特性」
『第18回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-2、
静岡県立森林公園森の家、2018年7月21-22日

[9] 山田晋也、工藤康平、奥畑亮、近田尋一朗、中村芳明、浜屋宏平
「低熱伝導率Fe2VAl単結晶薄膜の形成」
『2018年 第162回日本金属学会春季講演大会』、
千葉工業大学 新習志野キャンパス、2018年3月19-21日

[8] 工藤康平、山田晋也、近田尋一朗、嶋貫雄太、中村芳明、浜屋宏平
「Fe-V非化学量論組成及びSi置換Fe2VAl薄膜の電気・熱電特性」
『2018年 第162回日本金属学会春季講演大会』、
千葉工業大学 新習志野キャンパス、2018年3月19-21日

[7] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、石田 明広、中村 芳明、
「PbTe / GeS超格子のフォノン伝導機構」
『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、20p-C304-13、
早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日

[6] 近田 尋一朗, 奥畑 亮, 渡辺 健太郎, 池内 賢朗, 中村 芳明
「断熱境界条件下の2w法による薄板試料の熱伝導率評価」
『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』20p-C304-12、
早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日

[5] 寺田吏、石部貴史、渡辺健太郎、中村芳明
「非整合チムニーラダー構造を有するFeGegナノ結晶のSi基板上へのエピタキシャル成長」
『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、19a-F214-9、
早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日

[4] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「ナノワイヤ埋め込みZnO構造における出力因子増大をもたらす電子輸送機構」
『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-11、
早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日

[3] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、森 伸也、中村 芳明、
「ナノ構造化Si薄膜における出力因子決定機構」
『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-10、
早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日

[2] 谷口 達彦、渡辺 健太郎、Md. M. Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明
「界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作」
『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-9、
早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日

[1] 寺田吏、石部貴史、渡辺健太郎、中村芳明
「超低熱伝導率薄膜熱電材料の実現に向けたFeGegナノ結晶のSi基板上エピタキシャル成長」
『応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会』、P-03、大阪大学中之島センター、2018年2月23日


2017

[18] 谷口達彦、宮本拓、奥畑亮、渡辺健太郎、中村芳明、
「結晶性に依存したエピタキシャルGe/Si(001)薄膜の熱電特性」
『第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017)』、PS06、
大阪大学 豊中キャンパス、2017年9月11-13日

[17] 坂根駿也、柏野真人、渡辺健太郎、藤田武志、中村芳明、
「急冷鋳造法を用いたAu添加SiGeバルク熱電材料の開発」
『第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017)』、PS07、
大阪大学 豊中キャンパス、2017年9月11-13日

[16] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「ナノワイヤ導入による透明ZnO系薄膜の出力因子増大」
『第14回日本熱電学会学術講演会(TSJ2017)』、PS57、
大阪大学 豊中キャンパス、2017年9月11-13日

[15] 寺田 吏、石部 貴史、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「固相エピタキシャル成長した鉄酸化物ナノドット/Siの結晶性改善とその電気特性」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、5p-A202-17、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[14] 谷口 達彦、奥畑 亮、渡辺 健太郎、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、藤田 武志、中村 芳明、
「組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子制御」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、5p-A503-4、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[13] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、
「ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、5p-A503-5、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[12] 留田 純希、石部 貴史、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「熱電特性向上に向けたGa-doped ZnO多結晶薄膜の膜質制御」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、5p-A503-6、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[11] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「ZnOナノワイヤ埋め込み構造における結晶性と構造が与える出力因子増大効果」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、5p-A503-7、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[10] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、石田 明広、中村 芳明、
「低温2w法によるPbTe/GeS超格子の熱伝導率評価」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、6a-C22-5、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[9] 渡辺 健太郎、松本 武司、宮崎 雄介、御手洗 光祐、奥畑 亮、中村 芳明、
「有機膜埋込みSiナノウォール構造とその熱伝導率」
『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、6a-C22-6、
福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日

[8] 谷口 達彦、宮本 拓、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「エピタキシャルGe/Si(001)薄膜における熱電性能の膜質依存性」
『応用物理学会関西支部平成29年度第1回講演会』、P-29、
イーグレ姫路、2017年5月26日

[7] 御手洗 光祐、奥畑 亮、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「2w法に基づいた薄膜板材料に適用可能な熱伝導率測定法の開発」
『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』、14p-F206-2、
パシフィコ横浜、2017年3月14-17日

[6] 渡辺 健太郎、宮崎 雄介、御手洗 光祐、奥畑 亮、中村 芳明、
「有機膜埋め込みによるナノウォール構造の熱伝導率測定法の開発」
『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』、14p-F206-3、
パシフィコ横浜、2017年3月14-17日

[5] 谷口 達彦、宮本 拓、奥畑 亮、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「Si(001)基板上エピタキシャルGe薄膜の熱電特性」
『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』、15p-E206-7、
パシフィコ横浜、2017年3月14-17日

[4] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、
「ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係」
『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』、15p-E206-8、
パシフィコ横浜、2017年3月14-17日

[3] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、吉川 純、中村 芳明、
「ZnOナノワイヤ埋め込み構造の出力因子増大効果の解明」
『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』、15p-E206-9、
パシフィコ横浜、2017年3月14-17日

[2] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、吉川 純、藤田 武志、中村 芳明、
「ナノワイヤ埋め込み効果による透明ZnO薄膜の熱電性能向上」
『応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会』、P-01、
大阪大学中之島センター、2017年2月24日

[1] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、
「エピタキシャルb-FeSi2ナノドット含有Si薄膜の作製とその熱電特性評価」
『応用物理学会関西支部平成28年度第3回講演会』、P-xx、
大阪大学中之島センター、2017年2月24日


2016

[15] 安岡 晃太、渡辺 健太郎、中村 芳明、

「溶液成長法による金属上ZnOナノ薄膜構造の形成」

『応用物理学会関西支部平成28年度第2回講演会』、P31、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス、2016年10月7日

[14] 金子 航大、渡辺 健太郎、中村 芳明、

「低温スピンオンドーピング法によるSi基板上π型熱電モジュールの作成」

『応用物理学会関西支部平成28年度第2回講演会』、P32、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス、2016年10月7日

[13] 中村 芳明

「急峻界面をもつエピタキシャルナノ構造を用いたフォノン輸送制御」

『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、14a-B12-1、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日

[12] 渡辺 健太郎、山阪 司祐人、澤野 憲太郎、中村 芳明

「エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱伝導率の低減」

『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、14a-B12-2、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日

[11] 奥畑 亮、上田 智広、成瀬 延康、渡辺 健太郎、中村 芳明

「GaドープしたSi層/極薄Si酸化膜における熱伝導率の低減」

『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、14a-B12-3、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日

[10] 谷口 達彦、坂根 駿也、青木 俊輔、奥畑 亮、渡辺 健太郎、鈴木 健之、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明

「Si(111)基板上エピタキシャルβ-FeSi2薄膜の熱電特性」

『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、15p-A35-13、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日

[9] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明

「鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上」

『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、15p-A35-14、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日

[8] 石部 貴史、渡辺 健太郎、吉川 純、藤田 武志、中村 芳明、

「ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性”」

『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、15p-A35-15、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日

[7] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明

「エピタキシャルGeナノドットを用いたSi系熱電材料の高性能化」

『第13回日本熱電学会』、S1B2、東京理科大学葛飾キャンパス、2016年9月5-7日

[6] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、坂根 駿也、中村 芳明

「極小エピタキシャルGeナノドット含有Siナノ構造における熱伝導制御」

『第53回日本伝熱シンポジウム』、K223、グランキューブ大阪、2016年5月24-26日

[5] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、池内 賢朗、石田 明広、中村 芳明

「2ω法による熱伝導率測定の汎用性向上」

『第53回日本伝熱シンポジウム』、K225、グランキューブ大阪、2016年5月24-26日

[4] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、澤野 憲太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明、

「エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上」

『2016年 第63回 応用物理学会春季学術講演会』、20p-W323-12、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日

[3] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、池内 賢朗、石田 明広、中村 芳明、

「汎用性を向上した2ω法による熱電薄膜の熱伝導率測定」

『2016年 第63回 応用物理学会春季学術講演会』、20p-W323-13、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日

[2] 石部 貴史、前田 佳輝、松井 秀紀、渡辺 健太郎、成瀬 延康、中村 芳明、

「Ge核/Si上へのFe3O4-δナノドットエピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果」

『2016年 第63回 応用物理学会春季学術講演会』、21p-H111-16、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日

[1] 前田 佳輝、黒川 翼、石部 貴史、渡辺 健太郎、成瀬 延康、中村 芳明、

「Si基板上への鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成長とその電気特性評価」

『2016年 第63回 応用物理学会春季学術講演会』、21p-H111-17、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日


2015

[11] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、

「β-FeSi2ナノドット/Si層積層構造の作製と熱電特性評価」

『日本材料学会 第1回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ』、717、京都テルサ、2015年10月13-17日

[10] 渡辺 健太郎、松井 秀紀、中本 悠太、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明

「斜め蒸着法を用いた超高密度エピタキシャル酸化鉄ナノドットの作製と抵抗スイッチング特性評価」

『日本材料学会 第1回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ』、723、京都テルサ、2015年10月13-17日

[9] 山阪司祐人、渡辺健太郎、中村芳明

「Geナノドット/Si層エピタキシャル積層構造における熱伝導・電気伝導特性の独立制御」

『応用物理学会関西支部平成27年度第2回講演会』、P-01、大阪大学中之島センター、2015年9月30日

[8] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、

「β-FeSi2ナノドット/Si層エピタキシャル積層構造の作製とその構造及び熱電特性評価」

『応用物理学会関西支部平成27年度第2回講演会』、P-02、大阪大学中之島センター、2015年9月30日

[7] 渡辺 健太郎,中村 芳明

「溶液成長ZnO単結晶ナノロッド:成長時の格子間水素ドナーの取り込みと残留キャリア濃度分布」

『応用物理学会関西支部平成27年度第2回講演会』、P-03、大阪大学中之島センター、2015年9月30日

[6] 渡辺 健太郎、前田 佳輝、中本 悠太、松井 秀紀、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明

「Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性」

『2015年 第76回 応用物理学会秋季学術講演会』、13p-2H-6、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日

[5] 前田 佳輝、渡辺 健太郎、中本 悠太、松井 秀紀、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明、

「エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性」

『2015年 第76回 応用物理学会秋季学術講演会』、13p-2H-7、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日

[4] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、澤野憲太郎、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明

「エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御」

『2015年 第76回 応用物理学会秋季学術講演会』、13p-2T-5、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日

[3] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明

「β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因」

『2015年 第76回 応用物理学会秋季学術講演会』、13p-2T-6、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日

[2] 上田智広、五十川雅之、山阪司祐人、竹内正太郎、酒井朗、○中村芳明、

「不純物添加層を有するSiナノドット薄膜の形成とその熱電特性」

第十二回日本熱電学会学術講演会(TSJ2015)、2015年9月7-8日、九州大学

[1] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明

「β-FeSi2ナノドット積層構造の作製と熱電特性」

『第16回シリサイド系半導体・夏の学校』、九重共同研修所&九大山の家、2015年7月25-26日


2014

[1] 中村 芳明、

「極薄Si酸化膜を用いたナノドット形成と機能性ナノ材料の開発」

第58回日本学術会議材料工学連合講演会、京都テルサ、2014年10月27日、

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