Domestic Conference Talks
2025
[24] 門 瑞起、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明 、「ブロックコポリマー薄膜の熱スイッチ特性制御」 、『応用物理学会関西支部2025年度第二回講演会』、P-02、関西学院大学西宮上ケ原キャンパス、2025年11月6日.
[23] 宮本 哲士、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルSiH薄膜の剥離技術開発」、『応用物理学会関西支部2025年度第2回講演会』、P-22、関西学院大学 西宮上ケ原キャンパス、2025年11月6日.
[22] 桑原 陸、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「透明エピタキシャル(ZnxSn1-x)O2薄膜の熱電性能向上」、『応用物理学会関西支部2025年度第2回講演会』、P-03、関西学院大学 西宮上ケ原キャンパス、2025年11月6日.
[21] 坂野兼太郎、寺田吏、石部貴史、中村芳明、「エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜における熱伝導率低減とその機構解明」、『応用物理学会関西支部2025年度第2回講演会』、p-05、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス、2025年11月6日.
[20] Tsukasa Terada, Takafumi Ishibe, Nobuyasu Naruse, Yoshiaki Nakamura、「Epitaxial growth of FeGeγ thin film with incommensurate Nowotny chimney ladder structure on Si substrate」、『2025年日本表面真空学会学術講演会』、1F14、つくば国際会議場、2025年10月20-22日.
[19] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、大石 佑治、中村 芳明、「ドメイン・点欠陥制御した GeTe 薄膜/Si の熱電性能向上」、『第22回 日本熱電学会学術講演会』、S5B2、石川県小松市團十郎芸術劇場うらら、2025年9月24-26日.
[18] 寺田 吏、石部 貴史、成瀬 延康、佐藤 和則、山下 雄一郎、小林 英一、中村 芳明、「シリセンバックリング構造変調に起因したSi基板上エピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性向上」、『第22回 日本熱電学会学術講演会』、S5B3、石川県小松市團十郎芸術劇場うらら、2025年9月24-26日.
[17] 石部 貴史、山下 雄一郎、成瀬 延康、目良 裕、小林 英一、中村芳明、「マルチスケール構造制御による透明SnO2薄膜の熱電性能向上」、『日本セラミックス協会 第38回秋季シンポジウム』、2H18、群馬大学 荒牧キャンパス、2025年9月17-19日.
[16] 柴垣 新、堀田 亮輔、石部 貴史、山下 雄一郎、中村 芳明、「組成と歪を制御したエピタキシャルGe1-xSnx薄膜/Siの熱電特性」、『日本セラミックス協会 第38回秋季シンポジウム』、2H17、群馬大学 荒牧キャンパス、2025年9月17-19日.
[15] 石部 貴史、寺田 吏、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、小林 英一、中村 芳明、「低熱伝導率を有する選択的酸素空孔導入エピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3の熱電出力因子」、『第86回応用物理学会秋季学術講演会』、10a-N201-2、名城大学 天白キャンパス、2025年9月7-10日.
[14] 吉崎 高士 、小島 幹夫、寺田 吏、石部貴史、中村 芳明、「Si基板上CaSi2厚膜のエピタキシャル成長とその熱電特性」、『第86回応用物理学会秋季学術講演会』、10a-N201-1、名城大学 天白キャンパス、2025年9月7-10日.
[13] 寺田 吏、吉崎 高士、石部 貴史、中村 芳明、「IV族系二次元原子層含有Ca(Ge1-xSnx)2 結晶のSi基板上へのエピタキシャル成長」、『第86回応用物理学会秋季学術講演会』、9p-N401-6、名城大学天白キャンパス、2025年9月7-10日.
[12] 柴垣 新、堀田 亮輔、寺田 吏、石部 貴史、山下 雄一郎、中村 芳明、「歪制御したエピタキシャルGe1-xSnx薄膜/Siの伝熱特性」、『第86回応用物理学会秋季学術講演会』、7a-N105-4、名城大学 天白キャンパス、2025年9月7-10日.
[11] 門 瑞起、金子 達哉、石部 貴史、寺田 吏、中村 芳明、「RuO2導入したブロックコポリマー薄膜の熱伝導率異方性評価」、『機能性ナノ界面科学研究会 夏の学校2025』、No.5、湯～モアリゾート太山寺なでしこの湯、2025年8月17- 18日.
[10] 久々湊 優菜、吉崎 高士、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「第一原理計算によるCaSiの電子構造解析」、『機能性ナノ界面科学研究会夏の学校2025』、No.1、湯〜モアリゾート太山寺なでしこの湯、2025年8月17-18日.
[9] 桑原 陸、石部貴史、寺田吏、中村芳明、「透明エピタキシャル(ZnxSn1-x)O2薄膜の熱電特性」、『機能性ナノ界面科学研究会 夏の学校2025』、No.7、湯〜モアリゾート太山寺なでしこの湯、2025年8月17-18日.
[8] 道端亜澄、寺田吏、石部 貴史、中村 芳明、「新規薄膜成長技術によるエピタキシャルFeGeg /Siの開発」、『機能性ナノ界面科学研究会 夏の学校2025』、No.3、湯～モアリゾート太山寺なでしこの湯、2025年8月17-18日.
[7] 宮本 哲士、 南 鼓太郎、 寺田 吏、 石部 貴史、 中村 芳明、「一次元Si原子鎖を内包するCaSi薄膜のSi基板上へのエピタキシャル成長」、『機能性ナノ界面科学研究会 夏の学校2025』、No.6、湯〜モアリゾート 太山寺温泉 なでしこの湯、2025年8月17-18日.
[6] Reona Kitaura、 Takafumi Ishibe、 and Yoshiaki Nakamura、「Enhancement of transverse Seebeck coefficient of epitaxial Fe3Si film /Si by controlling structural factors and composition」、『第9回フォノンエンジニアリング研究会』、P-08、シギラリゾート・ホテルブリーズベイマリーナ、沖縄県宮古島、2025年5月18-19日.
[5] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、中村 芳明、「エピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における選択的酸素空孔制御による熱電性能向上」、『第72回応用物理学会春季学術講演会』、14p-K507-4、東京理科大学 野田キャンパス、2025年3月14-17日.
[4] 小松原 祐樹、石部 貴史、成瀬 延康、佐藤 和則、小林 英一、中村 芳明、「ナノ構造界面制御したZnO薄膜の出力因子増大機構の解明」、『第72回応用物理学会春季学術講演会』、14p-K507-5、東京理科大学 野田キャンパス、2025年3月14-17日.
[3] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、中村 芳明、「O2-アニオンを選択的変位したエピタキシャルSnO2薄膜/r-Al2O3における熱伝導率低減」、『第72回応用物理学会春季学術講演会』、15a-K501-3、東京理科大学 野田キャンパス、2025年3月14-17日.
[2] 吉崎 高士、上松 悠人、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、山下 雄一郎、上沼 睦典、中村 芳明、「2次元電子ガス積層構造を用いた熱伝導率低減とデバイス出力向上」、『第72回応用物理学会春季学術講演会』、15p-K307-3、東京理科大学 野田キャンパス、2025年3月14-17日.
[1] 小松原 祐樹、上月 聖也、石部 貴史、佐藤 和則、小林 英一、中村 芳明、「電子状態制御したZnO薄膜の熱電デバイス特性」、『第72回応用物理学会春季学術講演会』、15p-K307-4、東京理科大学 野田キャンパス、2025年3月14-17日.
2024
[12] 山本 敦大、石部 貴史、中村 芳明、「雰囲気制御下における酸化グラフェンのゼーベック効果」、『応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会』、P-05、大阪工業大学大宮キャンパス、2024年11月6日.
[11] 柴垣 新、平田 悠海、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜の熱電特性」、『応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会』、P-04、大阪工業大学大宮キャンパス、2024年11月6日.
[10] 爲本 敦裕、北浦 怜旺奈、石部 貴史、中村 芳明、「Si基板上エピタキシャルFe3Al系薄膜の形成方法の開発と横ゼーベック係数の評価」、『応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会』、P-06、大阪工業大学大宮キャンパス、2024年11月6日.
[9] 小松原 祐樹、石部 貴史、成瀬 延康、中村 芳明、「エピタキシャルZnOナノワイヤを含有するAl doped ZnO透明薄膜における出力因子向上」、『第21回 日本熱電学会学術講演会（TSJ2024）』、S4B1、産業技術総合研究所つくば、2024年9月24-26日.
[8] 石部 貴史、佐藤 和則、山下 雄一郎、中村 芳明、「Si基板上B20-CoSi薄膜のエピタキシャル成長法の開発」、『第85回応用物理学会秋季学術講演会』、16p-D63-5、朱鷺メッセ・ホテル日航新潟・新潟万代島ビルディング、2024年9月16-20日.
[7] 石部 貴史、佐藤 和則、山下 雄一郎、中村 芳明、「特異なバンド構造を有するエピタキシャルB20-CoSi薄膜 /Siの熱電特性」、『第85回応用物理学会秋季学術講演会』、17p-C301-5、朱鷺メッセ・ホテル日航新潟・新潟万代島ビルディング、2024年9月16-20日.
[6] 柴垣 新、平田 悠海、石部 貴史、 中村 芳明、「Stranski-Krastanov成長を用いて形成したエピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜における熱電特性」、『第85回応用物理学会秋季学術講演会』、18a-C301-2、朱鷺メッセ・ホテル日航新潟・新潟万代島ビルディング、 2024年9月16-20日.
[5] 小松原 祐樹、石部 貴史、佐藤 和則、中村 芳明、「歪・欠陥制御したZnO薄膜/r-Al2O3のゼーベック係数増大」、『第85回応用物理学会秋季学術講演会』、17p-C301-4、朱鷺メッセ・ホテル日航新潟・新潟万代島ビルディング、2024年9月16-20日.
[4] 小松原 祐樹、石部 貴史、成瀬 延康、中村 芳明、「基板面方位制御によるZnO薄膜の熱電特性操作」、『第85回応用物理学会秋季学術講演会』、16p-D63-4、朱鷺メッセ・ホテル日航新潟・新潟万代島ビルディング、2024年9月16-20日.
[3] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、大石 佑治、中村 芳明、「エピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱伝導率とフォノン輸送機構」、『第71回応用物理学会春季学術講演会』、24p-21B-6、東京都市大学 世田谷キャンパス、2024年3月22-25日.
[2] 小松原 祐樹、石部 貴史、宮戸 祐治、中村 芳明、「非熱平衡状態におけるナノコンポジット薄膜の局所電位分布測定」、『第71回応用物理学会春季学術講演会』、22p-13P-4、東京都市大学 世田谷キャンパス、2024年3月22-25日.
[1] 上松 悠人、石部 貴史、間野高明、大竹晃浩、中村 芳明、「二次元電子ガスにおけるサブバンド数が熱電出力因子に与える影響」、『第71回応用物理学会春季学術講演会』、22p-13P-3、東京都市大学 世田谷キャンパス、2024年3月22-25日.
2023
[14] 平田 悠海、堀田 亮輔、石部 貴史、中村 芳明、「Si系ナノドット含有エピタキシャルGe薄膜のナノドットサイズと熱伝導率の関係」、『第44回 日本熱物性シンポジウム』、A131、日本大学 生産工学部 津田沼キャンパス、2023年11月7-9日.
[13] 上月 聖也、石部 貴史、中村 芳明、「自立型IoTセンサ電源応用に向けたエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性」、『応用物理学会関西支部2023年度第2回講演会』、P-10、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス関西学院会館、2023年11月2日.
[12] 吉崎 高士、小島 幹央、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルCaSi2薄膜/Siにおける構造と熱電特性の関係」、『応用物理学会関西支部2023年度第2回講演会』、P-07、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス関西学院会館、2023年11月2日.
[11] 上松 悠人、石部 貴史、間野高明、大竹晃浩、中村 芳明、「AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける多数サブバンドによる熱電出力因子向上」、『第20回日本熱電学会学術講演会』、S4A5、北九州国際会議場、2023年9月25-27日.
[10] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、山下 雄一郎、大石 佑治、 中村 芳明、「Ge空孔量制御したエピタキシャルGeTe薄膜/Siの熱電特性」、『第84回応用物理学会秋季学術講演会』、21a-B203-11、熊本城ホール、 2023年9月19-23日.
[9] 北浦 怜旺奈、 石部 貴史、 水口 将輝、 中村 芳明、「巨大横ゼーベック係数獲得へ向けたエピタキシャルFe3Si薄膜/Siの組成比制御」、『第84回応用物理学会秋季学術講演会』、21a-B203-9、熊本城ホール、 2023年9月19-23日.
[8] 上松 悠人、石部 貴史、間野高明、大竹晃浩、中村 芳明、「AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける熱電出力因子制御」、『第84回応用物理学会秋季学術講演会』、21a-B203-9、熊本城ホール、2023年9月19-23日.
[7] 平田 悠海、堀田 亮輔、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜/Siによる熱伝導率の低減」、『第84回応用物理学会秋季学術講演会』、21a-B203-1、熊本城ホール、2023年9月19-23日.
[6] 上月 聖也、小松原 祐樹、石部 貴史、中村 芳明、岩本 耕典、上沼 睦典、浦岡 行治、「電子状態制御したZnOナノワイヤ含有薄膜の高移動度化とデバイス応用」、『日本セラミックス協会 第36回秋季シンポジウム』、2S03、京都工芸繊維大学 松ヶ崎キャンパス、2023年9月6-8日.
[5] 上松 悠人、石部 貴史、中村 芳明、「層状物質GeHの面直方向熱伝導率評価」、『第7回フォノンエンジニアリング研究会』、P-01、沖縄コンベンションセンター、2023年8月5-6日.
[4] 南 鼓太郎、石部 貴史、中村 芳明、「一次元 Si 原子鎖を内包する薄膜熱電材料の開発」、『応用物理学会関西支部2023年度第一回講演会』、P-05、大阪大学吹田キャンパス銀杏会館、2023年6月5日.
[3] 堀田 亮輔、石部 貴史、中村芳明、「Si基板上エピタキシャルn-GeSnの作製とその熱電特性」、『応用物理学会関西支部2023年度第一回講演会』、P-06、大阪大学吹田キャンパス銀杏会館、2023年6月5日.
[2] 石部 貴史、金子 達哉、赤羽 英夫、小村 元憲、中村 芳明、「秩序-秩序転移を用いた有機系熱スイッチ材料におけるスイッチング温度制御」、『2023年 第70回 応用物理学会春季学術講演会』、17p-D511-5、上智大学 四谷キャンパス、2023年3月15-18日.
[1] 小松原 祐樹、石部 貴史、大江 純一郎、中村 芳明、「エピタキシャルZnO薄膜/Al2O3の歪制御によるゼーベック係数増大」、『2023年 第70回 応用物理学会春季学術講演会』、16p-D411-9、上智大学 四谷キャンパス、2023年3月15-18日.
2022
[23] 小松原祐樹、上月聖也、石部貴史、中村芳明、「エピタキシャル ZnO 薄膜における結晶ドメイン界面品質が熱電特性に及ぼす影響」、『第5回結晶工学×ISYSE合同研究会』、P-08、大阪大学吹田キャンパス銀杏会館、2022年11月18日.
[22] 堀田 亮輔、谷口 達彦、石部 貴史、中村 芳明、「極小熱伝導率を有するGeナノドット含有Si系薄膜におけるフォノン輸送機構の解明」、『第5回結晶工学×ISYSE 合同研究会』、P-09、大阪大学吹田キャンパス銀杏会館、2022年11月18日.
[21] 石部 貴史, 吉矢 真人, 中嶋 聖介, 石田 明広, 中村 芳明、「界面熱抵抗低減に向けた界面熱輸送機構の理解 」、『第43回日本熱物性シンポジウム』、B221、オンライン、2022年10月25-27日.
[20] 堀田 亮輔、水田 光星、石部 貴史、藤田 武志、中村 芳明、「合金ナノ結晶導入による高性能SiGe熱電材料の開発」、『2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会』、23a-C102-4、東北大学 川内北キャンパス、2022年9月20-23日.
[19] 石部 貴史、谷内 卓、山下 雄大、佐藤 拓磨、末益 崇、中村 芳明、「Si基板上エピタキシャルBaSi2薄膜における欠陥導入による低熱伝導率化」、『2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会』、21p-C102-5、東北大学 川内北キャンパス、2022年9月20-23日.
[18] 小松原 祐樹、石部 貴史、大江 純一郎、中村 芳明、「Al doped ZnO 透明薄膜/Al2O3 のゼーベック係数増大とその機構」、『2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会』、21p-C102-4、東北大学 川内北キャンパス、2022年9月20-23日.
[17] 入江 航平、石部 貴史、中村 芳明、「Si 電気二重層トランジスタにおけるキャリア注入量改善とその熱電特性」、『2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会』、21p-C102-3、東北大学 川内北キャンパス、2022年9月20-23日.
[16] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、水口 将輝、中村 芳明、「半導体/強磁性体積層構造における界面導入と周期長制御による横ゼーベック係数の増大」、『第46回 日本磁気学会学術講演会 (MSJ2022)』、07aB-1、信州大学 長野キャンパス、2022年9月6-8日.
[15] 堀田 亮輔、水田 光星、石部 貴史、藤田 武志、中村 芳明、「Co導入による SiGeバルク材料の熱電性能向上」、『第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）』、S1B3、アオーレ長岡、2022年8月8-10日.
[14] 南 鼓太郎、小松原 祐樹、石部 貴史、中村 芳明、「キャリア密度制御によるアモルファスZnSnO透明薄膜の熱電特性評価」、『第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）』、S5A2、アオーレ長岡、2022年8月8-10日.
[13] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、Sharma Himanshu、水口 将輝、中村 芳明、「Co/Si 積層構造における横ゼーベック係数増大機構解明に向けた界面電子輸送解析」、『第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）』、S1B2、アオーレ長岡、2022年8月8-10日.
[12] 小松原 祐樹、石部 貴史、中村 芳明、「結晶成長方位制御により高性能化したAl doped ZnO/Al2O3の作製」、『第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）』、S5A1、アオーレ長岡、2022年8月8-10日.
[11] 坂根 駿也、三輪 俊一朗、石部 貴史、中村 芳明、田中 秀樹、「PEDOT:PSS に導入した Cu2Seナノワイヤの熱電出力因子に与える影響」、『第19回日本熱電学会学術講演会（TSJ2022）』、S6A5、アオーレ長岡、2022年8月8-10日.
[10] 北浦 怜旺奈、「横ゼーベック係数の増大に向けた半導体/強磁性体積層構造における界面熱抵抗解析」、『第6回フォノンエンジニアリング研究会』、P-06、オンライン、2022年7月22-23日.
[9] 石部貴史、「カルコゲナイド系超格子における伝熱特性」、『第6回フォノンエンジニアリング研究会』、Fri-7、オンライン、2022年7月22-23日.
[8] 南 鼓太郎、小松原 祐樹、石部 貴史、中村 芳明「アモルファスZnSnO薄膜の作製とその熱電特性」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、24a-E205-8、オンライン、2022年3月22-26日.
[7] 小島 幹央、寺田 吏、石部 貴史、成瀬 延康、小林 英一、中村 芳明「Caインターカレーションを用いたバックリング構造変調シリセンの創製とその熱電特性」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、25a-E102-2、オンライン、2022年3月22-26日.
[6] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、Himanshu Sharma、水口 将輝、中村 芳明「半導体/強磁性金属積層構造における横ゼーベック係数増大とその機構」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、24a-E205-10、オンライン、2022年3月22-26日.
[5] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明「熱電材料におけるゼーベック効果を含んだ局所電位変化の直接測定」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、24a-E205-7、オンライン、2022年3月22-26日.
[4] 上松 悠人、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明「極小熱伝導率を有する単結晶ゲルマナン薄膜の創製」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、25p-D114-3、オンライン、2022年3月22-26日.
[3] 寺田 吏、石部 貴史、Nguyen Tien Quang、佐藤 和則、中村 芳明「バルクCaSi2への準安定相導入による熱電出力因子増大」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、25a-E102-1、オンライン、2022年3月22-26日.
[2] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、成瀬 延康、Nguyen Tien Quang、佐藤 和則、中村 芳明「エピタキシャルCaSi2薄膜中のシリセンバックリング構造変形による熱電出力因子増大」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、24a-E205-9、オンライン、2022年3月22-26日.
[1] 石部 貴史、吉矢 真人、中嶋 聖介、石田 明広、中村 芳明「アモルファス GeS/単結晶 PbTe 界面における熱輸送機構」、『2022年 第69回 応用物理学会春季学術講演会』、24p-F407-12、オンライン、2022年3月22-26日.
2021
[27] 瀧川 将、石部 貴史、大石 佑治、中村 芳明、「GeTe 熱電材料における Ge, Sn 含有量と熱電特性の関係」、『応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会』、P-04、オンライン、2021年10月15日.
[26] 小島 幹央、寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、中村 芳明、「熱電性能向上に向けたエピタキシャルCa(SiGeSn)2ナノシートの開発」、『応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会』、P-03、オンライン、2021年10月15日.
[25] 伊藤 純也、石部 貴史、中村 芳明、「アモルファスSiGe系超格子におけるフォノン輸送物理」、『応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会』、p-05、オンライン、2021年10月15日.
[24] 石垣 信太郎、石部 貴史、中村 芳明、「Dirac bandを有するエピタキシャルε-CoSi/Siの作製とその熱電特性」、『応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会』、P-06、オンライン、2021年10月15日.
[23] 蘆田 湧一、石部 貴史、成瀬 延康、楊 金峰、中村 芳明、「VO2構造相転移を駆動するナノスケール歪みの可視化」、『応用物理学会関西支部2021年度第2回講演会』、P-10、オンライン、2021年10月15日.
[22] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村芳明、「温度勾配下の熱電材料における局所電位変化の直接測定」、『2021年 第82回 応用物理学会秋季学術講演会』、A1-P4 12a-N106-9、オンライン（VR）、2021年9月23日.
[21] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、大江 純一郎、小林 英一、中村 芳明「熱流制御と共鳴準位効果を用いた熱電出力因子増大」、『2021年 第82回 応用物理学会秋季学術講演会』、10p-N406-10、オンライン、2021年9月10-13日.
[20] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村芳明、「温度勾配下の熱電材料における局所電位変化の直接測定」、『2021年 第82回 応用物理学会秋季学術講演会』、12a-N106-9、オンライン、2021年9月10-13日.
[19] 北浦 怜旺奈、 石部 貴史、 Himanshu Sharma、 水口 将輝、 中村 芳明、「半導体/強磁性体積層構造における熱伝導率低減と横ゼーベック係数増大の同時実現」、『2021年 第82回 応用物理学会秋季学術講演会』、10p-N406-9、オンライン、 2021年9月10-13日.
[18] 石部貴史、小松原祐樹、上沼睦則、浦岡行治、中村芳明、「熱電発電応用に向けた透明SnO2薄膜のデバイス特性評価」、『2021年 第82回 応用物理学会秋季学術講演会』、10a-N406-8、オンライン、2021年9月10-13日.
[17] 片山虎之介、石部貴史、中村芳明、「EDLTを用いたIV族熱電材料における熱電特性操作」、『2021年 第82回 応用物理学会秋季学術講演会』、10p-N406-7、オンライン、2021年9月10-13日.
[16] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、Himanshu Sharma、水口 将輝、中村 芳明、「半導体/強磁性体積層構造における横ゼーベック係数の増大」、『第45回 日本磁気学会学術講演会 (MSJ2021)』、01aB-6、オンライン、2021年8月31日-9月2日.
[15] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、Himanshu Sharma、水口 将輝、中村 芳明、「Co/Si積層構造における横ゼーベック係数増大とその機構」、『第18回日本熱電学会学術講演会（TSJ2021）』、S3A5、オンライン、2021年8月23-25日.
[14] 石部 貴史、小松原 祐樹、山下 雄一郎、中村 芳明、「ドメイン制御による透明 SnO2 薄膜の熱電性能向上」、『第18回日本熱電学会学術講演会（TSJ2021）』、S1B1、オンライン、2021年8月23-25日.
[13] 日野 雄太、藤井 進、吉矢 真人、石部 貴史、中村 芳明、「PbTe/GeS 異相界面における界面構造とフォノン伝導解析」、『第18回日本熱電学会学術講演会（TSJ2021）』、S2A2、オンライン、2021年8月23-25日.
[12] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、大江 純一郎、小林 英一、中村 芳明、「Au添加がバルクSiGeの熱電特性に与える影響」、『第18回日本熱電学会学術講演会（TSJ2021）』、S3B5、オンライン、2021年8月23-25日.
[11] 小島 幹央、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「IV族二次元原子層を含むCa(SiGeSn)2ナノシートのSi基板上へのエピタキシャル成長」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-16、オンライン、2021年8月21-22日.
[10] 伊藤 純也、石部 貴史、中村 芳明、「バリスティック熱伝導観測に向けたアモルファスSiGe系超格子の伝熱特性評価」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-14、オンライン、2021年8月21-22日.
[9] 石垣 信太郎、石部 貴史、中村 芳明、「高熱電出力因子化に向けたSi基板上ε-CoSi薄膜のエピタキシャル成長とその熱電特性」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-18、オンライン、2021年8月21-22日.
[8] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、 Himanshu Sharma、 水口 将輝、 中村 芳明、「半導体/強磁性体積層構造における横ゼーベック係数に対する界面効果」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校』、p-19、オンライン、2021年8月21-22日.
[7] 上松 悠人、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「準安定相導入によるバルクCaSi2の熱電特性制御」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-17、オンライン、2021年8月21-22日.
[6] 寺田 吏，上松 悠人, 石部 貴史, 成瀬 延康, 中村 芳明、「二次元Si層の構造変調によるエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電出力因子増大」、『第19回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-15、オンライン、2021年8月21-22日.
[5] 石部貴史、「ナノドット含有Si系薄膜におけるフォノン輸送機構」、『第5回フォノンエンジニアリング研究会』、Fri-3、オンライン、2021年7月2-3日.
[4] 石部貴史、上松悠人、竹中良介、鈴木雄大、佐藤和則、藤田武志、小林英一、中村芳明、「高熱電出力因子に向けたε-CoSi 薄膜/Si における電子輸送機構 」、『2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-Z17-7、オンライン、2021年3月16-19日.
[3] 谷口 達彦、石部 貴史、我妻 勇哉、澤野 憲太郎、山下 雄一郎、中村 芳明、「歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電性能」、『2021年第68回応用物理学会春季学術講演会』、17a-Z17-6、オンライン、2021年3月16-19日.
[2] 寺田 吏、谷口 達彦、石部 貴史、鴻池 健人、真田 篤志、成瀬 延康、目良 裕、中村 芳明、「極小エピタキシャルGeナノドット含有薄膜における熱伝導機構」、『2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会』、16a-Z32-4、オンライン、2021年3月16-19日.
[1] 日野雄太、藤井進、吉矢真人、石部貴史、中村芳明、「カルコゲナイドにおける界面モデリングとフォノン状態解析」、『2021年 材料物性工学談話会』、オンライン、2021年2月3日.
2020
[20] 石部貴史、「界面制御したSiGe/Si超格子薄膜における電子・フォノン輸送」、『第４回フォノンエンジニアリング研究会』、Sat-2、オンライン、2020年12月11-12日.
[19] 日野雄太、関本渉、藤井進、吉矢真人、石部貴史、中村芳明、「カルコゲナイド異相界面におけるフォノン伝導機構」、『第30回日本MRS年次大会』、オンライン、2020年12月9-11日.
[18] 水田 光星、細田 凌矢、石部 貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「サーマルマネージメント出力因子増大機構解明に向けたCoSi2ナノドット含有SiGe薄膜の熱電特性評価」、『第17回日本熱電学会学術講演会（TSJ2020）』、S4A3、オンライン、2020年9月28-30日.
[17] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、小林 英一、中村 芳明、「フェルミレベル制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化」、『第17回日本熱電学会学術講演会（TSJ2020）』、S4A2、オンライン、2020年9月28-30日
[16] 小松原 祐樹、片山 虎之介、石部 貴史、中村 芳明、「界面エネルギー障壁制御による透明ZnO/MgZnO超格子薄膜の出力因子増大」、『第17回日本熱電学会学術講演会（TSJ2020）』、S4A1、オンライン、2020年9月28-30日.
[15] 豊木 研太郎、林 正之、濱口 峻祐、白土 優、中谷 亮一、石部 貴史、中村 芳明「擬ギャップを持つ反強磁性X相Cr3Al薄膜の支配的キャリアの評価」、『2020年 第167回日本金属学会春季講演大会』、オンライン、2020年9月15-18日.
[14] 石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、中村 芳明、「鉄シリサイドナノドット含有Fe3O4薄膜メモリ における局所電界増強による抵抗変化比増大」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、11a-Z01-4、オンライン、2020年9月8-11日.
[13] 谷口 達彦、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜における熱伝導率低減機構の解明」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z09-13、オンライン、2020年9月8-11日.
[12] 北浦 怜旺奈、石部 貴史、Himanshu Sharma、水口 将輝、中村 芳明、「半導体/強磁性金属積層構造における異常ネルンスト係数の増大」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-8、オンライン、2020年9月8-11日.
[11] 細田凌矢、水田光星、石部貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野憲太郎、中村芳明、「熱電出力因子増大に向けたエピタキシャルCoSiナノドット含有SiGe薄膜の開発」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-7、オンライン、9月8-11日.
[10] 上松 悠人、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「エピタキシャルゲルマナン薄膜の作製とその熱伝導率測定」、『2020年 第81回 応用物理学会秋季学術講演会』、8p-Z18-6、オンライン、2020年9月8-11日.
[9] 工藤 康平、嶋貫 雄太、石部 貴史、 真砂 啓、 山田 晋也、中村 芳明、 浜屋 宏平、「熱電ホイスラー合金Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の電気・熱電特性」、『2020年 第166回日本金属学会春季講演大会』、東京工業大学 大岡山キャンパス、2020年3月17-19日.
[8] 豊木 研太郎、林 正之、濱口 峻佑、白土 優、中谷 亮一、石部 貴史、中村 芳明、「反強磁性半金属X相Cr3Al薄膜の電気特性およびSeebeck係数の温度依存性」、『2020年 第166回日本金属学会春季講演大会』、東京工業大学 大岡山キャンパス、2020年3月17-19日.
[7] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村芳明、「熱起電力顕微鏡法により検出したZnO薄膜の微視的熱電物性」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、14p-A405-5、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日.
[6] 石部 貴史、雛川 貴弘、坂根 駿也、佐藤 和則、小林 英一、藤田 武志、中村 芳明、「Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、14a-A202-5、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日.
[5] 坂根 駿也、石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-6、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日.
[4] 谷口 達彦、石部 貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-5、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日.
[3] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、小林 英一、山下 雄一郎、中村 芳明、「Ca/Si界面反応制御によるエピタキシャルCaSi2薄膜の高出力因子化」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-4、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日.
[2] 上松 悠人、谷口 達彦、細田 凌矢、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、中村 芳明、「AlGaAs/GaAs 系二次元電子ガスによる出力因子増大」、『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-3、上智大学 四谷キャンパス、2020年3月12-15日.
[1] 塩田拓哉、石部 貴史、中村 芳明、「環境調和型フレキシブル熱電材料の開発」、『応用物理学会関西支部2019年度第3回講演会』、P-30、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 関西センター、2020年2月21日.
2019
[26] 渡辺直樹、船井浩平、藤井進、吉矢真人、中村芳明、「ナノスケールでのSi/SiO2界面による熱伝導率機構の解明」『第29回日本MRS年次大会』、横浜情報文化センター、2019年11月27-29日.
[25] 日野雄太、渡辺直樹、藤井進、吉矢真人、石部貴史、中村芳明、「第一原理格子動力学法による積層カルコゲナイドのフォノン状態」『第29回日本MRS年次大会』、横浜情報文化センター、2019年11月27-29日.
[24] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、「熱起電力顕微鏡の開発」『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-06、大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日.
[23] 金子 達哉、石部 貴史、彌田 智一、中村 芳明、「ナノシリンダブロックコポリマー薄膜における熱伝導率スイッチングの発現」『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-05、大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日.
[22] 上松 悠人、谷口 達彦、細田 凌矢、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、中村 芳明、「2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価」『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-04、大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日.
[21] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、山下 雄一郎、中村 芳明、「IoTセンサ電源応用に向けたSi基板上CaSi2熱電薄膜」『応用物理学会関西支部2019年度第2回講演会』、P-03、大阪大学豊中キャンパス シグマホール、2019年11月8日.
[20] 嶋貫雄太, 工藤康平, 山田晋也, 石部貴史, 中村芳明, 浜屋宏平「熱電材料Fe2TiSiエピタキシャル薄膜の低温MBE成長」『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日.
[19] 石部 貴史、近田 尋一郎、谷内 卓、山下 雄大、佐藤 拓磨、末益 崇、中村 芳明、「熱電発電応用に向けたSi基板上BaSi2薄膜」『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、20a-E303-3、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日.
[18] 坂根 駿也、石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善」『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、19p-E307-7、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日.
[17] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、小林 英一、山下 雄一郎、中村 芳明、「Ca濃度変調によるエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性操作」『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、19p-E307-6、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日.
[16] 石部 貴史、谷内 卓、山下 雄大、佐藤 拓磨、末益 崇、中村 芳明、「Si基板上BaSi2薄膜の低熱伝導率とその熱輸送機構」『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、18p-E214-3、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日.
[15] 谷口 達彦、寺田 吏、石部 貴史、中村 芳明、「独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化」『2019年 第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、18p-E214-2、北海道大学 札幌キャンパス、2019年9月18-21日.
[14] 渡辺直樹、船井浩平、藤井進、吉矢真人、中村芳明、「ナノスケールでの異相界面における熱輸送メカニズム」『第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）』、名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日.
[13] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、「熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用」『第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）』、S6B4、名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日.
[12] 上松 悠人、谷口 達彦、細田 凌矢、石部 貴史、間野 高明、大竹 晃浩、中村 芳明、「二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価」『第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）』、S6B1、名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日.
[11] 金子 達哉、石部 貴史、彌田 智一、中村 芳明、「異方的構造を有するブロックコポリマー薄膜の熱伝導率異方性評価」『第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）』、PS48、名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日.
[10] 細田 凌矢、谷口 達彦、石部 貴史、藤井 武則、中村 芳明、「SiGe EDLTを用いた出力因子増大の検証」『第16回日本熱電学会学術講演会（TSJ2019）』、PS31、名古屋工業大学御器所キャンパス、2019年9月2-4日.
[9] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、鎌倉 良成、森 伸也、中村 芳明、「サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大」『応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会』、P-03、関西学院大学 関学会館、2019年6月20日.
[8] 小松原 祐樹、宮戸 祐治、石部 貴史、中村 芳明、「熱起電力顕微鏡の開発とナノコンポジット材料への適用」『応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会』、p-02、関西学院大学 関学会館、2019年6月20日.
[7] 工藤康平, 山田晋也, 近田尋一朗, 嶋貫雄太, 石部貴史, 阿保智, 宮崎秀俊, 西野洋一, 中村芳明, 浜屋宏平,「Si置換したFe2VAlエピタキシャル薄膜の熱伝導率」『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
[6] 雛川 貴弘、坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、中村 芳明、「Si基板上に形成した擬ギャップε-CoSi薄膜の熱電性能評価」『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、11p-W834-13、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
[5] 石部 貴史、近田 尋一郎、谷内 卓、山下 雄大、末益 崇、中村 芳明、「複雑結晶構造を有するSi基板上BaSi薄膜の熱電性能評価」『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、10a-W351-5、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
[4] 谷口 達彦、石部 貴史、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化」『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、10a-W351-4、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
[3] 寺田 吏、上松 悠人、石部 貴史、中村 芳明、「多層シリセン積層構造を有するエピタキシャルCaSi2薄膜の熱電特性」『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、10a-W351-3、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
[2] 宮戸 祐治、小松原 祐樹、石部 貴史、中村 芳明、「局所ゼーベック係数分布計測に向けた温度勾配下における熱電材料の表面電位分布測定」『2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会』、9p-W371-9東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
[1] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、池内 賢朗、鎌倉 良成、森 伸也、中村 芳明、「SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大」『2019年第66回 応用物理学会春季学術講演会』、9p-W371-8、東京工業大学 大岡山キャンパス、2019年3月9-12日.
2018
[16] 石部 貴史、留田 純希、成瀬 延康、中村 芳明、「変調ドープエピタキシャル界面導入によるZnO薄膜の出力因子増大」『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-8、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日.
[15] 坂根 駿也、柏野 真人、渡辺 健太郎、鎌倉 良成、森 伸也、藤田 武志、中村 芳明、「Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子」『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-7、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日.
[14] 雛川 貴弘、坂根 駿也、中村 芳明、「半金属ε-CoSi薄膜のSi基板上への成長とその熱電性能」『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-6、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日.
[13] 谷口 達彦、成瀬 延康、山下 雄一郎、中村 芳明、「Si-rich SiGe/Si超格子における界面偏析が熱伝導率へ与える影響」『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、20p-234B-10、名古屋国際会議場、2018年9月18-21日.
[12] 留田 純希、石部 貴史、中村 芳明、「SnO2薄膜における結晶成長方位制御による熱電出力因子増大」『2018年 第15回日本熱電学会』、PS19、東北大学青葉山キャンパス、2018年9月13-15日.
[11] 雛川 貴弘、坂根 駿也、中村 芳明、「熱電応用に向けたSi基板上CoSi薄膜の形成技術開発」『第18回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-17、静岡県立森林公園森の家、2018年7月21-22日.
[10] 坂根 駿也、中村 芳明、「Coドープしたエピタキシャルβ-FeSi2薄膜/Siの作製とその熱電特性」『第18回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-2、静岡県立森林公園森の家、2018年7月21-22日.
[9] 山田晋也、工藤康平、奥畑亮、近田尋一朗、中村芳明、浜屋宏平、「低熱伝導率Fe2VAl単結晶薄膜の形成」『2018年 第162回日本金属学会春季講演大会』、千葉工業大学 新習志野キャンパス、2018年3月19-21日.
[8] 工藤康平、山田晋也、近田尋一朗、嶋貫雄太、中村芳明、浜屋宏平、「Fe-V非化学量論組成及びSi置換Fe2VAl薄膜の電気・熱電特性」『2018年 第162回日本金属学会春季講演大会』、千葉工業大学 新習志野キャンパス、2018年3月19-21日.
[7] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、石田 明広、中村 芳明、「PbTe / GeS超格子のフォノン伝導機構」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、20p-C304-13、早稲田大学西早稲田キャンパス、2018年3月17-20日.
[6] 近田 尋一朗, 奥畑 亮, 渡辺 健太郎, 池内 賢朗, 中村 芳明,「断熱境界条件下の2ω法による薄板試料の熱伝導率評価」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』20p-C304-12、早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日.
[5] 寺田吏、石部貴史、渡辺健太郎、中村芳明、「非整合チムニーラダー構造を有するFeGeγナノ結晶のSi基板上へのエピタキシャル成長」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、19a-F214-9、早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日.
[4] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、中村 芳明、「ナノワイヤ埋め込みZnO構造における出力因子増大をもたらす電子輸送機構」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-11、早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日.
[3] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、森 伸也、中村 芳明、「ナノ構造化Si薄膜における出力因子決定機構」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-10、早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日.
[2] 谷口 達彦、渡辺 健太郎、Md. M. Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「界面制御によるSi/SiGe超格子の出力因子操作」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-9、早稲田大学西早稲田キャンパス、ベルサール高田馬場、2018年3月17-20日.
[1] 寺田吏、石部貴史、渡辺健太郎、中村芳明、「超低熱伝導率薄膜熱電材料の実現に向けたFeGeγナノ結晶のSi基板上エピタキシャル成長」『応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会』、P-03、大阪大学中之島センター、2018年2月23日.
2017
[18] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、吉川 純、藤田 武志、中村 芳明、
「ナノワイヤ埋め込み効果による透明ZnO薄膜の熱電性能向上」
『応用物理学会関西支部平成２８年度第３回講演会』、P-01、大阪大学中之島センター、2017年2月24日.
[17] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、
「エピタキシャルb-FeSi2ナノドット含有Si薄膜の作製とその熱電特性評価」
『応用物理学会関西支部平成２８年度第３回講演会』、P-xx、大阪大学中之島センター、2017年2月24日.
[16] 御手洗 光祐、奥畑 亮、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「2ω法に基づいた薄膜板材料に適用可能な熱伝導率測定法の開発」
『2017年春季<第64回>応用物理学会』、14p-F206-2、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日.
[15] 渡辺 健太郎、宮崎 雄介、御手洗 光祐、奥畑 亮、中村 芳明、
「有機膜埋め込みによるナノウォール構造の熱伝導率測定法の開発」
『2017年春季<第64回>応用物理学会』、14p-F206-3、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日.
[14] 谷口 達彦、宮本 拓、奥畑 亮、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「Si(001)基板上エピタキシャルGe薄膜の熱電特性」
『2017年春季<第64回>応用物理学会』、15p-E206-7、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日.
[13] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、
「ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係」
『2017年春季<第64回>応用物理学会』、15p-E206-8、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日.
[12] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、吉川 純、中村 芳明、
「ZnOナノワイヤ埋め込み構造の出力因子増大効果の解明」
『2017年春季<第64回>応用物理学会』、15p-E206-9、パシフィコ横浜、2017年3月14-17日.
[11] 谷口 達彦、宮本 拓、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「エピタキシャル Ge/Si(001) 薄膜における熱電性能の膜質依存性」
『応用物理学会関西支部平成２９年度第１回講演会』、P-29、イーグレ姫路、2017年5月26日.
[10] 寺田 吏、石部 貴史、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「固相エピタキシャル成長した鉄酸化物ナノドット/Siの結晶性改善とその電気特性」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、5p-A202-17、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[9] 谷口 達彦、奥畑 亮、渡辺 健太郎、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、藤田 武志、中村 芳明、
「組成制御によるSiGe/Si超格子の出力因子制御」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、5p-A503-4、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[8] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、
「ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、5p-A503-5、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[7] 留田 純希、石部 貴史、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「熱電特性向上に向けたGa-doped ZnO多結晶薄膜の膜質制御」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、5p-A503-6、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[6] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「ZnOナノワイヤ埋め込み構造における結晶性と構造が与える出力因子増大効果」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、5p-A503-7、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[5] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、石田 明広、中村 芳明、
「低温２ω法によるPbTe/GeS超格子の熱伝導率評価」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、6a-C22-5、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[4] 渡辺 健太郎、松本 武司、宮崎 雄介、御手洗 光祐、奥畑 亮、中村 芳明、
「有機膜埋込みSiナノウォール構造とその熱伝導率」
『2017年秋季<第78回>応用物理学会』、6a-C22-6、福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレス、2017年9月5-8日.
[3] 谷口達彦、宮本拓、奥畑亮、渡辺健太郎、中村芳明、
「結晶性に依存したエピタキシャルGe/Si(001)薄膜の熱電特性」
『第14回日本熱電学会学術講演会（TSJ2017）』、PS06、大阪大学 豊中キャンパス、2017年9月11-13日.
[2] 坂根駿也、柏野真人、渡辺健太郎、藤田武志、中村芳明、
「急冷鋳造法を用いたAu添加SiGeバルク熱電材料の開発」
『第14回日本熱電学会学術講演会（TSJ2017）』、PS07、大阪大学 豊中キャンパス、2017年9月11-13日.
[1] 石部 貴史、留田 純希、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「ナノワイヤ導入による透明ZnO系薄膜の出力因子増大」
『第14回日本熱電学会学術講演会（TSJ2017）』、PS57、大阪大学 豊中キャンパス、2017年9月11-13日.
2016
[15] 安岡 晃太、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「溶液成長法による金属上ZnOナノ薄膜構造の形成」
『応用物理学会関西支部平成２８年度第２回講演会』、P31、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス、2016年10月7日.
[14] 金子 航大、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「低温スピンオンドーピング法によるSi基板上π型熱電モジュールの作成」
『応用物理学会関西支部平成２８年度第２回講演会』、P32、関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス、2016年10月7日.
[13] 中村 芳明
「急峻界面をもつエピタキシャルナノ構造を用いたフォノン輸送制御」
『2016年秋季<第77回>応用物理学会』、14a-B12-1、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日.
[12] 渡辺 健太郎、山阪 司祐人、澤野 憲太郎、中村 芳明
「エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱伝導率の低減」
『2016年秋季<第77回>応用物理学会』、14a-B12-2、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日.
[11] 奥畑 亮、上田 智広、成瀬 延康、渡辺 健太郎、中村 芳明
「GaドープしたSi層/極薄Si酸化膜における熱伝導率の低減」
『2016年秋季<第77回>応用物理学会』、14a-B12-3、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日.
[10] 谷口 達彦、坂根 駿也、青木 俊輔、奥畑 亮、渡辺 健太郎、鈴木 健之、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明
「Si(111)基板上エピタキシャルβ-FeSi2薄膜の熱電特性」
『2016年秋季<第77回>応用物理学会』、15p-A35-13、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日.
[9] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明
「鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上」
『2016年秋季<第77回>応用物理学会』、15p-A35-14、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日.
[8] 石部 貴史、渡辺 健太郎、吉川 純、藤田 武志、中村 芳明、
「ZnOナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性”」
『2016年秋季<第77回>応用物理学会』、15p-A35-15、朱鷺メッセ、2016年9月13-16日.
[7] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明
「エピタキシャルGeナノドットを用いたSi系熱電材料の高性能化」
『第13回日本熱電学会』、S1B2、東京理科大学葛飾キャンパス、2016年9月5-7日.
[6] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、坂根 駿也、中村 芳明
「極小エピタキシャルGeナノドット含有Siナノ構造における熱伝導制御」
『第53回日本伝熱シンポジウム』、K223、グランキューブ大阪、2016年5月24-26日.
[5] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、池内 賢朗、石田 明広、中村 芳明
「2ω法による熱伝導率測定の汎用性向上」
『第53回日本伝熱シンポジウム』、K225、グランキューブ大阪、2016年5月24-26日.
[4] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、澤野 憲太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明、
”エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上”、
『2016年春季<第63回>応用物理学会』、20p-W323-12、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日.
[3] 奥畑 亮、渡辺 健太郎、池内 賢朗、石田 明広、中村 芳明、
「汎用性を向上した2ω法による熱電薄膜の熱伝導率測定」
『2016年春季<第63回>応用物理学会』、20p-W323-13、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日.
[2] 石部 貴史、前田 佳輝、松井 秀紀、渡辺 健太郎、成瀬 延康、中村 芳明、
「Ge核/Si上へのFe3O4-δナノドットエピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果」
『2016年春季<第63回>応用物理学会』、21p-H111-16、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日.
[1] 前田 佳輝、黒川 翼、石部 貴史、渡辺 健太郎、成瀬 延康、中村 芳明、
「Si基板上への鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成長とその電気特性評価」
『2016年春季<第63回>応用物理学会』、21p-H111-17、東京工業大学 大岡山キャンパス、2016年3月19-22日.
2015
[11] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「β-FeSi2ナノドット/Si層積層構造の作製と熱電特性評価」
『日本材料学会 第１回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ』、717、京都テルサ、2015年10月13-17日.
[10] 渡辺 健太郎、松井 秀紀、中本 悠太、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
「斜め蒸着法を用いた超高密度エピタキシャル酸化鉄ナノドットの作製と抵抗スイッチング特性評価」
『日本材料学会 第１回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ』、723、京都テルサ、2015年10月13-17日.
[9] 山阪司祐人、渡辺健太郎、中村芳明
「Geナノドット/Si層エピタキシャル積層構造における熱伝導・電気伝導特性の独立制御」
『応用物理学会関西支部平成２７年度第２回講演会』、P-01、大阪大学中之島センター、2015年9月30日.
[8] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、
「β-FeSi2ナノドット/Si層エピタキシャル積層構造の作製とその構造及び熱電特性評価」
『応用物理学会関西支部平成２７年度第２回講演会』、P-02、大阪大学中之島センター、2015年9月30日.
[7] 渡辺 健太郎，中村 芳明
「溶液成長ZnO単結晶ナノロッド：成長時の格子間水素ドナーの取り込みと残留キャリア濃度分布」
『応用物理学会関西支部平成２７年度第２回講演会』、P-03、大阪大学中之島センター、2015年9月30日.
[6] 渡辺 健太郎、前田 佳輝、中本 悠太、松井 秀紀、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
「Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性」
『2015年秋季<第76回>応用物理学会』、13p-2H-6、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日.
[5] 前田 佳輝、渡辺 健太郎、中本 悠太、松井 秀紀、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明、
「エピタキシャルFe3O4-δナノドット/Si基板における抵抗スイッチング特性の成長温度依存性」
『2015年秋季<第76回>応用物理学会』、13p-2H-7、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日.
[4] 山阪 司祐人、渡辺 健太郎、澤野憲太郎、竹内正太郎、酒井朗、中村芳明
「エピタキシャルGeナノドット含有Si薄膜における熱電特性制御」
『2015年秋季<第76回>応用物理学会』、13p-2T-5、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日.
[3] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明
「β-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因」
『2015年秋季<第76回>応用物理学会』、13p-2T-6、名古屋国際会議場、2015年9月13-16日.
[2] 上田智広、五十川雅之、山阪司祐人、竹内正太郎、酒井朗、○中村芳明、
「不純物添加層を有するSiナノドット薄膜の形成とその熱電特性」
第十二回日本熱電学会学術講演会（TSJ2015）、九州大学、2015年9月7-8日.
[1] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明
「β-FeSi2ナノドット積層構造の作製と熱電特性」
『第16回シリサイド系半導体・夏の学校』、九重共同研修所＆九大山の家、2015年7月25-26日.
2014
[1] 中村 芳明、
「極薄Ｓｉ酸化膜を用いたナノドット形成と機能性ナノ材料の開発」
第58回日本学術会議材料工学連合講演会、京都テルサ、2014年10月27日.